7n80場效應(yīng)管代換,7a800v,?KIA7N80HF參數(shù)現(xiàn)貨-KIA MOS管

7n80場效應(yīng)管代換型號?KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進(jìn)的平面條狀DMOS技術(shù)制造，?RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，低柵極電荷27nC，最大限度降低導(dǎo)通電阻、提供卓越的開關(guān)性能；?具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，性能...

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5804.html         2025-07-21

lcr數(shù)字電橋原理,工作原理圖分享-KIA MOS管

LCR數(shù)字電橋的原理是通過測量待測元件兩端的電壓和電流向量，結(jié)合相敏檢波與數(shù)字信號處理技術(shù)，運(yùn)用矢量形式的歐姆定律計算阻抗參數(shù)。lcr數(shù)字電橋可以精確測量電子元件的電感（L）、電容（C)、電阻（R）和阻抗（Z）參數(shù)，并支持品質(zhì)因數(shù)（Q)、損耗因數(shù)（D）等衍...

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5803.html         2025-07-21

紋波電流是什么,紋波電流計算-KIA MOS管

紋波電流指在直流電源中，由于整流器和濾波器的不完美，使得直流電流中存在周期性的波動。這種波動通常表現(xiàn)為交流成分，但其頻率和幅度通常較低。

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5802.html         2025-07-21

-100a-40v pmos,3204場效應(yīng)管,KPD3204B參數(shù)資料-KIA MOS管

KPD3204B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關(guān)損耗，高效率低損耗；100%EAS保證、dV/dt效應(yīng)顯著下降，穩(wěn)定可靠，綠色設(shè)備可用，性能優(yōu)越；封裝形式：TO...

17 次查看 -100a-40v pmos 3204場效應(yīng)管

www.enlve.com/article/detail/5798.html         2025-07-18

dcdc變換器mos管,80v160a場效應(yīng)管,KNB2708A參數(shù)-KIA MOS管

KNB2708A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導(dǎo)通電阻，?超低柵極電荷，減少開關(guān)損耗提高效率；快速恢復(fù)體二極管、反向恢復(fù)時間短，性能優(yōu)越，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于高效D...

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5801.html         2025-07-18

勢壘電容是什么,勢壘電容和擴(kuò)散電容-KIA MOS管

在半導(dǎo)體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當(dāng)外加電壓變化時，耗盡層的寬度和電荷量會變化，導(dǎo)致電容的變化。這種情況下，勢壘電容與耗盡層的寬度有關(guān)，而耗盡層寬度又取決于外加電壓。所以勢壘電容應(yīng)該是一個可變電容，其容值隨反向電壓...

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5800.html         2025-07-18

二極管正負(fù)極判斷,二極管的作用原理-KIA MOS管

普通二極管（如整流二極管）：負(fù)極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環(huán)標(biāo)記。正極（陽極，A） 沒有標(biāo)記。

0 次查看 二極管正負(fù)極判斷

www.enlve.com/article/detail/5799.html         2025-07-18

crss是什么電容,反向傳輸電容Crss詳解-KIA MOS管

反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導(dǎo)開關(guān)期間VDS變化階段（米勒平臺），延長開關(guān)時間并增加損耗；

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5797.html         2025-07-17

pmos的開啟電壓,pmos管的導(dǎo)通條件-KIA MOS管

pmos是低電壓開啟的，其導(dǎo)通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負(fù)值），即柵極相對于源極為負(fù)電壓時導(dǎo)通。pmos管的開通電壓為負(fù)值，通常在-5V至-10V范圍內(nèi)。

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5796.html         2025-07-17

ups逆變器,190a40v,2404場效應(yīng)管,KNY2404A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有新型溝槽工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷減少開關(guān)損耗，高效穩(wěn)定；快速恢復(fù)體二極管、反向恢復(fù)時間短，高頻性能優(yōu)異?；廣泛應(yīng)用于高效DCDC轉(zhuǎn)換器、同步...

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5795.html         2025-07-16

變頻電源原理,變頻器結(jié)構(gòu)原理分享-KIA MOS管

變頻電源是由整個電路構(gòu)成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流、中間直流環(huán)節(jié)和逆變等過程，將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為頻率和電壓可調(diào)的交流電，從而實現(xiàn)對電機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩的精確控制。

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5794.html         2025-07-16

變頻器工作原理,變頻器逆變原理-KIA MOS管

變頻器的逆變原理是通過脈寬調(diào)制（PWM）技術(shù)控制開關(guān)器件通斷時序，將直流電轉(zhuǎn)換為頻率和電壓可調(diào)的交流電。

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5793.html         2025-07-16

充電器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A場效應(yīng)管-KIA MOS管

KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用SGT-MOSFET技術(shù)，專有新型溝槽工藝制造，??極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；快速切換能力，確保應(yīng)用高效率、低損耗，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于交流直流快速充電器、同步整流...

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5792.html         2025-07-15

反激電源拓?fù)?反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原理-KIA MOS管

升降壓電路由電感周期性的充能和放能過程維持均勻的電壓輸出，且輸出電壓與輸入電壓極性相反。將升降壓電路中的電感替換成互相耦合的電感N1和N2（也就是變壓器）就是反激拓?fù)洹?/div>

0 次查看

www.enlve.com/article/detail/5791.html         2025-07-15